糖拌辣椒
花朵
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制绒:多晶156:8.82,单晶156:8.98
湿法刻蚀:多晶156:17.64,单晶156:17.96.
上述系数都是针对每一面而言,例如:若单晶制绒算出来深度为3um,则上下表面各3um.如果制绒前平均厚度为180um,则制绒后平均厚度为174um.
由于湿法刻蚀是单面腐蚀,所以其系数是制绒的两倍.
关于系数的推演,首先要明确,在深度的计算中,忽略对wafer四个侧面的腐蚀.
以多晶156为例,上下表面单面面积为:15.6cmX15.6cm=243.36cm2(忽略多晶156那微不足道的小角).
硅的密度为2.33g/cm3
2.33g/cm3 * 243.36cm2 =567.0288g/cm
1/(567.0288g/cm)=0.001764cm/g=0.001764 * 10*1000um/g=17.64 um/g
1年前
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