霍尔效应测磁感应强度的实验原理是什么?

霍尔效应Hall Effect是一种磁电效应,是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的.根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用.
原理
通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物理原理应用到测量技术中的基本过程.
如图所示,将一块半导体或导体材料,沿Z方向加以磁场,沿X方向通以工作电流I,则在Y方向产生出电动势.这现象称为霍尔效应.称为霍尔电压.
实验表明,在磁场不太强时,电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比,与板的厚度d成反比.

霍尔电动势Ub=K*I*B，K是常数，I是流过半导体的电流，B是磁感应强度。
K是已知的，保持电流不变，测试霍尔电动势Ub，就可以算出磁感应强度B。