什么叫量子化霍尔效应

他在长方形导体薄片上通以电流,沿电流的垂直方向加磁场,发现在与电流和磁场两者垂直的两侧面产生了电势差.后来这个效应广泛应用于半导体研究.一百年过去了.1980年一种新的霍耳效应又被发现.这就是德国物理学家冯·克利青从金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）发现的量子霍耳效应.他在硅MOSFET管上加两个电极,把MOSFET管放到强磁场和深低温下,证明霍耳电阻随栅压变化的曲线上出现一系列平台,与平台相应的霍耳电阻等于RH＝h/i·e2,其中i是正整数1,2,3,……,这一发现是20世纪以来凝聚态物理学、各门新技术（包括低温、超导、真空、半导体工艺、强磁场等）综合发展以及冯·克利青创造性的研究工作所取得的重要成果.