如何利用霍尔效应测量某种半导体材料的霍尔系数?

我设想了一种测量方法,当然我不知道实验室中是不是也用这种方法：
量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);
那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；
那么首先我们考虑R-B曲线,经典电磁学认为应该是一条通过坐标原点的直线,事实上由于霍尔量子效应图像呈现的是类似振荡衰减的曲线,而且随着B的增大,曲线振荡偏离的越远.曲线和拟合直线（经典理论中的理论直线）的交点的纵坐标为h/(k*e^2),h为普朗克常数,k取正整数.
以上是我的看法,仅供参考!