什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?

wodeyu 1年前 已收到2个回答 举报

3255825 幼苗

共回答了19个问题采纳率:78.9% 举报

发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V),.特点1:Vce很小约0.3V(Vce(sat)=-Vbc+Vbc=-0.4+0.7=0.3V),因此相当于C,E极间短路或电阻很小.2:Vce很小变化就使Ice急剧改变3:Ib与Ic在临界时仍可用Ic=βIb,但进入饱和Ic

1年前

7

黑din 幼苗

共回答了7个问题 举报

临界饱和状态是三极管Vce极接近其饱和电压的状态.
在这个状态下三极管开关速度最高, 损耗小.

1年前

2
可能相似的问题
Copyright © 2024 YULUCN.COM - 雨露学习互助 - 17 q. 0.030 s. - webmaster@yulucn.com